• InGaN 超高效率红光 

InGaN 红光 Micro LED 在像素尺寸小于 10μm 时，仍可维持高效率表现，有效克服了传统 AlInGaP 红光 LED 在尺寸微缩后产生的效率衰减（Size Effect）问题。

在常用红光620nm波段附近，此材料特性在高电流密度和高操作温度下，同时有较小色偏和和稳定亮度，有效降低显示器影响残留(image sticking)现象。
该技术特别适用于小间距 RGB 显示应用，并可与 AlInGaP 解决方案在不同尺寸的显示产品中实现互补布局。

• 54 吋 Micro LED透明显示屏
   

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• i-Pixel

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• GaN on Si Micro LED 外延片 

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