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Micro LED
InGaN 超高效率红光
InGaN 红光 Micro LED 即使在高解析时,仍可维持高效率表现,有效克服了传统 AlInGaP 红光 LED 在尺寸微缩后产生的效率衰减(Size Effect)问题。
在常用红光620nm波段附近,此材料特性在高电流密度和高操作温度下,同时有较小色偏和和稳定亮度,有效降低显示器影响残留(image sticking)现象。
该技术特别适用于小间距 RGB 显示应用,并可与 AlInGaP 解决方案在不同尺寸的显示产品中实现互补布局。

54 吋 Micro LED透明显示屏
富采的 Micro LED 芯片(COC 与 COW)可在显示屏上实现超过 60% 的穿透率与 600 nits 亮度,同时兼具高分辨率表现,是专为 Micro LED透明显示应用而设计,凭借成熟的量产能力,产品可支持客制化规格、,具有稳定良率与高效率整合能力,可推动新一代交互式建筑显示与空间媒体应用发展。


8吋硅基 Micro LED
现场展示8吋硅基 Micro LED,突显富采与 ALLOS 的策略合作成果,成功将可相容于硅晶圆制程产线的 GaN-on-Si LED 磊晶圆导入量产。此技术结合领先业界的 GaN 缓冲层创新技术与富采高良率制造能力,可实现具备规模化生产潜力与高效率表现的 Micro LED 芯片。透过更大尺寸晶圆与优化的制程兼容性,进一步加速次世代 Micro LED 显示技术的量产与市场导入。