Micro LED
InGaN 紅光技術
InGaN 紅光 Micro LED 即使在高解析時,仍可維持高效率表現,有效克服傳統 AlInGaP 紅光 LED 在尺寸微縮後產生的效率衰減問題。
在常用紅光620nm波段附近,此材料特性在高電流密度和高操作溫度下,同時有較小色偏和和穩定亮度,有效降低顯示器影響殘留(image sticking)現象。
此技術特別適用於小間距 RGB 顯示應用,並可與 AlInGaP 解決方案在不同尺寸顯示產品中形成互補配置。

54 吋 Micro LED透明顯示器
富采的 Micro LED 晶片(COC 與 COW)可在顯示器上實現超過 60% 的穿透率與 600 nits 亮度,同時兼具高解析度表現,是專為 Micro LED透明顯示應用而設計,憑藉成熟的量產能力,產品可支援客製化規格,具有穩定良率與高效率整合能力,可推動新一代互動式建築顯示與空間媒體應用發展。


8吋矽基 Micro LED
現場展示8吋矽基 Micro LED ,突顯富采與 ALLOS 的策略合作成果,成功將可相容於矽晶圓製程產線的 GaN-on-Si LED 磊晶圓導入量產。此技術結合領先業界的 GaN 緩衝層創新技術與富采高良率製造能力,可實現具備規模化生產潛力與高效率表現的 Micro LED 晶片。透過更大尺寸晶圓與優化的製程相容性,進一步加速次世代 Micro LED 顯示技術的量產與市場導入。
*富采技術所有設計皆以永續為目標,打造兼具效能與環境友善的解決方案。