• InGaN 紅光技術

InGaN 紅光 Micro LED 在像素尺寸小於 10 µm 時，仍可維持高效率表現，有效克服傳統 AlInGaP 紅光 LED 在尺寸微縮後產生的效率衰減問題。 
在常用紅光620nm波段附近，此材料特性在高電流密度和高操作溫度下，同時有較小色偏和和穩定亮度，有效降低顯示器影響殘留(image sticking)現象。
此技術特別適用於小間距 RGB 顯示應用，並可與 AlInGaP 解決方案在不同尺寸顯示產品中形成互補配置。

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